LSIは、 微細化技術によって高性能化、低消費電力化を遂げてきました。 しかし現在では、物理的なサイズ縮小に伴うリーク電流の増大やフォトリソ工程の光波長の技術的限界などの問題によって、3次元に積層化することでLSIの性能を高める技術が注目されています。 3次元化することで回路間の距離が短くなり、小型・高速・低消費電力など高性能化に有利です。 さらに、ウェハでの積層は、チップ同士の積層やパッケージ同士の積層に比べて、高い生産性と高性能化が期待されています。

MEMSデバイスでは、素子部に可動部を持つという特徴から、これを保護するパッケージの重要性は高くなります。 既に、MEMSパッケージではWLP（ウェハレベルパッケージ）技術が主流となり、ウェハレベルで封止を行えることから、 テストの簡略化と大幅な小型化を実現します。 また、異種材料同志の接合の必要性から表面活性化接合が適用されてきています。

MEMSでのナノインプリント技術の適用で樹脂レンズを利用した実用化フェーズに入ってきました。 将来的にはイメージセンサーとレンズを含む、カメラモジュールすべての工程を、半導体生産のウェハレベルで行う「ウェハレベルカメラモジュール」を実現します。 このCMOSイメージセンサーは、携帯電話だけでなくノートPCや携帯ゲーム機での活用や自動車の車載用イメージセンサーに利用し、自動車業界から注目を集めています。 また近年、積層型による高速イメージセンサも開発されてきており、ウエハレベルでの高精度積載が加速化しています。

光通信分野において受光素子やLD（レーザダイオード）と光ファイバーを連結するSiベンチユニットにおいて、サブミクロンでの高精度にチップ実装するパッシブアライメント方法が要望されている。 従来のAu/錫ハンダでは溶融時のずれが妨げとなっていたが、Ar FAB による表面活性化処理することで大気中でも常温にて固相で接合することが可能となり飛躍的に接合精度が改善し、かつ、溶融させないため1秒での接合が可能となり量産性もアップした。 また、ハンダ以外にAuを電極として採用することでより信頼性の高い実装が行われる。

量子コンピューターのキーとなる超電動素子材料のＮｂ－Ｎｂをハンダを介することなく直接常温接合を達成。

さらなる高精細化が進む分野。 線膨張の異なる異種材料を常温で接合し、高精度な接合を実現します。